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KPEL-S系列小功率直流電子負(fù)載-科億維(在線咨詢)

電子負(fù)載是通過控制和調(diào)整跨接在其輸入端的FET功率場(chǎng)效應(yīng)管RDS，似乎將多臺(tái)電子負(fù)載串聯(lián)應(yīng)該沒有什么大問題。如圖2所示，假如我們將兩臺(tái)串聯(lián)的電子負(fù)載都設(shè)置為CC模式，而且設(shè)置為完全相同的電流值，譬如都設(shè)置為10.00A。但實(shí)際上電子負(fù)載不可能是的10.00A，如果其中一臺(tái)實(shí)際為9.99A，而另外一臺(tái)為10.01A。這樣一來，電子負(fù)載2就不可能達(dá)到其設(shè)置值，因此，它就不停的減小FET的RDS直到0（短路），這樣所有的電壓就全部加載到電子負(fù)載1上使得它過壓損壞。

　　也有人建議兩臺(tái)電子負(fù)載分別工作于恒流CC模式和恒壓CV模式，而且這似乎可以實(shí)現(xiàn)設(shè)定電壓、電流點(diǎn)的工作狀態(tài)。但是如何讓這兩臺(tái)電子負(fù)載進(jìn)入到設(shè)定的CC及CV工作點(diǎn)？

　　假設(shè)我們先設(shè)定好電子負(fù)載，然后再將負(fù)載連接到被測(cè)電源，設(shè)定于CC模式的電子負(fù)載因?yàn)闆]有任何電流，因此將FET的RDS設(shè)置為0（短路）；而設(shè)定于CV模式的電子負(fù)載因?yàn)闆]有任何電壓，將FET的RDS設(shè)置為+∞

　?。ㄩ_路）。所以在電源接入的瞬間，電源上的所有電壓100V都加載到CV模式的負(fù)載上，就可能損壞。

每個(gè)可編程直流負(fù)載表控制模塊都有一個(gè)環(huán)境溫度短路保護(hù)，當(dāng)內(nèi)部環(huán)境溫度超過安全極，該保護(hù)可完全自動(dòng)關(guān)閉驅(qū)動(dòng)負(fù)載。在過溫保護(hù)之后，狀態(tài)寄存器中的溫度(OT)和環(huán)境溫度不正確(TE)數(shù)據(jù)位是有用的，并一直保留到復(fù)位。LOAD鍵可以重置狀態(tài)選項(xiàng)卡。

當(dāng)待檢測(cè)電源的輸入電壓反向時(shí)，返向電流流過可編程DC負(fù)載表，其更大的安全電流根據(jù)負(fù)載類型而變化。如果要檢測(cè)的電源電壓的返回電流超過可編程DC負(fù)載表的負(fù)載容量，則負(fù)載經(jīng)常被破壞。因此，在檢測(cè)到反向電壓后，應(yīng)立即斷開要測(cè)試的開關(guān)電源，檢查正負(fù)極并重新連接。LOAD(加載)按鈕重置狀態(tài)選項(xiàng)卡。

如何使用三端雙向可控硅開關(guān)和相位控制電路來控制流經(jīng)交流負(fù)載的電流?現(xiàn)在主要通過改變負(fù)載電壓的RMS 值來控制平均負(fù)載功率。這可以通過使用反向并聯(lián) SCR 或使用單個(gè)三端雙向可控硅開關(guān)元件來實(shí)現(xiàn)。

　　使用三端雙向可控硅開關(guān)的交流負(fù)載控制是低至中高功率交流負(fù)載常見的晶閘管控制方法。負(fù)載功率通過控制負(fù)載電壓的有效值來控制，而有效值又由雙向可控硅的觸發(fā)角控制。這反過來又控制了雙向可控硅的導(dǎo)通時(shí)間。

　　當(dāng)觸發(fā)角α為零時(shí)，導(dǎo)通角θ為180°，負(fù)載電壓，等于電源電壓。隨著觸發(fā)角增大，導(dǎo)通角減小，負(fù)載電壓減小。當(dāng)α等于180°時(shí)，θ為零，負(fù)載電壓為零。