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工業(yè)級(jí)直流電源-科億維電氣廠(chǎng)家-風(fēng)電工業(yè)級(jí)直流電源

FCC測(cè)試頻率在450K-30MHz，CISPR 22測(cè)試頻率在150K--30MHz，Conduction可以用頻譜分析儀測(cè)試，Radiation則必須到專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試。

EMI為電磁干擾，EMI是EMC其中的一部分，EMI(Electronic Magnetic Interference) 電磁干擾， EMI包括傳導(dǎo)、輻射、電流諧波、電壓閃爍等等。電磁干擾是由干擾源、藕合通道和三部分構(gòu)成的，院校工業(yè)級(jí)直流電源，通常稱(chēng)作干擾的三要素。 EMI線(xiàn)性正比于電流，電流回路面積以及頻率的平方即：EMI = K*I*S*F2。I是電流，S是回路面積，F(xiàn)是頻率，K是與電路板材料和其他因素有關(guān)的一個(gè)常數(shù)。

通常采用軟開(kāi)關(guān)電路控制技術(shù)，結(jié)合合理的元器件布局及印制電路板布線(xiàn)、接地技術(shù)，對(duì)直流電源的EMI干擾具有一定的改善作用。

采用電磁屏蔽措施

一般采用電磁屏蔽措施都能有效地抑制直流電源的電磁輻擾。直流電源的屏蔽措施主要是針對(duì)開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器而言。開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量，需要給 它裝散熱片，從而使開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間產(chǎn)生較大的分布電容。因此，在開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間放置絕緣屏蔽金屬層，工業(yè)級(jí)直流電源，并且散熱片接機(jī)殼地，金屬層接到 熱端零電位，減小集電極與散熱片間藕合電容，生產(chǎn)工業(yè)級(jí)直流電源，從而減小散熱片產(chǎn)生的輻擾。針對(duì)高頻變壓器，首先應(yīng)根據(jù)導(dǎo)磁體屏蔽性質(zhì)來(lái)選擇導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu)，如用罐型鐵芯和 El型鐵芯，則導(dǎo)磁體的屏蔽效果很好。

MS中的等級(jí)是指：Class A，測(cè)試完成后設(shè)備仍在正常工作；Class B，測(cè)試完成或測(cè)試中需要重啟后可以正常工作；Class C，需要人為調(diào)整后可以正常重啟并正常工作；Class D，設(shè)備已損壞，無(wú)論怎樣調(diào)整也無(wú)法啟動(dòng)。嚴(yán)格程度EMI是B > A，EMS是A > B > C > D。

直流電源輸入EMI電路：

X電容的作用：

抑制差模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。

Y電容的作用：

抑制共模雜訊，電容量越大，抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級(jí)到初級(jí)地線(xiàn)提供一個(gè)低阻抗回路，使流向地再通過(guò)LISN回來(lái)的電流直接短路掉，由于Y電容非完全理想，次級(jí)各部分間也存在阻抗，逆變工業(yè)級(jí)直流電源，所以不可能全部回來(lái)。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線(xiàn)連接到初級(jí)和次級(jí)的冷地， 如果開(kāi)通時(shí)MOS的dv/dt大于關(guān)斷時(shí)的dv/dt， 則Y電容連接到初級(jí)的地; 反之連接到V+。